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射頻CCP（容性耦合等離子體）發生裝置的工作原理是：由射頻源產生的射頻功率（13.5
6MHz）經射頻電纜傳輸，至電容耦合到兩平面平行電極之間；在兩電極之間的射頻電場加熱電
子，電離充入兩電極之間的工作氣體產生高密度等離子體。等離子體輻照置于電極表面的基片
，用于在基片表面沉積薄膜、刻蝕和清洗；如電極之一的是孔或網狀，或兩電極都為孔或網狀
，等離子體也可透過電極用于產生原子束流等。 |
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| 型號 |
射頻源功率 |
沉積室尺寸 |
基片臺 |
抽充氣系統 |
電控柜 |
| 直徑 |
加熱溫度 |
CCPECVD
-1500 |
1500W |
ф450×300 |
200 |
450℃ |
1300L/s分子
泵兩路流量計 |
1800
標準機柜 |
CCPECVD
-800 |
800W |
ф350×300 |
150 |
450℃ |
600L/s分子
泵兩路流量計 |
1800
標準機柜 |
CCPECVD
-300 |
300W |
ф200×300 |
50 |
450℃ |
110L/s分子
泵兩路流量計 |
1600
標準機柜 |
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| 型號 |
射頻源功率 |
刻蝕室尺寸 |
基片臺 |
抽充氣系統 |
電控柜 |
| 直徑 |
冷卻 |
CCP RIE
-1500 |
1500W |
ф450×300 |
200 |
水冷 |
1300L/s分子
泵兩路流量計 |
1800
標準機柜 |
CCP RIE
-800 |
800W |
ф350×300 |
150 |
水冷 |
600L/s分子
泵兩路流量計 |
1800
標準機柜 |
CCP RIE
-300 |
300W |
ф200×300 |
50 |
水冷 |
110L/s分子
泵兩路流量計 |
1600
標準機柜 |
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| 型 號 |
射頻源功率 |
多孔柵尺寸 |
氦氣流量L/m |
| CCP Jet－1000 |
1000W |
ф70 |
或矩形相
應面積 |
～100 |
| CCP Jet－500 |
500W |
ф50 |
～50 |
| CCP Jet－300 |
300W |
ф30 |
～30 |
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| 常壓射頻CCP射流源 |
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常壓射頻CCP射流源
放電圖 |
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